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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 372775 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 372775

Título del libro: 2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, Eumic 2008
Título del capítulo: Revised RF extraction methods for deep submicron MOSFETs

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2008

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Palabras clave:

Compact model; Deep sub-micron; Device under test; Extraction procedure; Measurement Noise; Mobility degradation; MOS transistors; MOSFETs; Relative sensitivity; Resistance values; RF applications; RF characterization; RF extraction method; RF MOSFETs; Series resistances; Simulation result; Transversal electric field; Vectorial network analyzers; Electric fields; Electric network analysis; Jitter; Microwave integrated circuits; MOSFET devices; Spurious signal noise; Transistor transistor logic circuits; Acoustic noise

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Resumen:

Adequate modelling of MOS transistors for RF applications requires the accurate extraction of the extrinsic series resistances. In this paper, we fairly compare several RF extraction methods based on simulation results provided by an accurate foundry compact model of advanced RF MOSFETs. We present the relative sensitivity of each published RF characterization method to the measurement noise floor of Vectorial Network Analyzer. Additionally, the Bracale's method demonstrates to be less sensitive to the measurement noise but the extracted resistance values suffer from the mobility degradation due to the transversal electric field and the asymmetry of the device under test. Based on these theoretical and experimental results we propose a revised extraction procedure suitable for deep submicron transistors.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:



ISBN:
9782874870071
Editorial:

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/EMICC.2008.4772245