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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 361672 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 361672

Título del libro: 2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings
Título del capítulo: Equivalent electrical circuit model for the post breakdown current in SiO2/TiO22 gate stacks

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2007

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Palabras clave:

Breakdown; MOS; Reliability

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Resumen:

In this work we examine the electrical behavior of thin (~10 nm) SiO 2ATiO2 gate insulator stacks in MOS capacitors that have undergone multiple hard breakdown events. The post-breakdown current is modeled using a simple equivalent electrical circuit consisting of a diode with series and parallel resistances. We show that the current flowing through the nondamaged oxide area still plays a significant role even after breakdown. Similarities with previous studied systems are also discussed. © 2007 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:



ISBN:
1424408687
Editorial:

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/SCED.2007.384011