JULIO CESAR CRUZ CARDENAS



DATOS GENERALES
Nombre completo   JULIO CESAR CRUZ CARDENAS
Máximo nivel de estudios   DOCTORADO
Antigüedad académica en la UNAM   8 años
NOMBRAMIENTOS
Vigente   PROFESOR ASIGNATURA A TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 16-04-2024
PROFESOR ASIGNATURA A TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 01-10-2023 hasta 15-04-2024
POSDOCTOR TC No Definitivo
Centro de Nanociencias y Nanotecnología en la UNAM
Desde 01-11-2017 hasta 31-10-2018
AYUDANTE PROFESOR B TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 01-06-2013 hasta 31-12-2017
AYUDANTE PROFESOR B TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 01-05-2012 hasta 15-03-2013
AYUDANTE PROFESOR B TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 01-01-2012 hasta 30-04-2012
AYUDANTE PROFESOR B TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 16-06-2011 hasta 31-12-2011
AYUDANTE PROFESOR B TP No Definitivo
Facultad de Ciencias
Desde 16-12-2010 hasta 15-06-2011
ESTIMULOS, PROGRAMAS, PREMIOS Y RECONOCIMIENTOS
* SNI I2022 - VIGENTE
* SNI C2017 - 2021
INFORMACIÓN DE PUBLICACIONES
Firmas  
Cruz J. Cruz, J.
Áreas de conocimiento  
Materials science, coatings and films Physics, applied Acoustics and ultrasonics Materials chemistry
Coautorías con entidades de la UNAM  
Revistas en las que ha publicado  (2):
  1. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, Reino Unido (2019, 2021)
  2. SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, Suiza (2022)


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Documentos indexados (WoS y Scopus)

# Título del documento Autores Año Revista Fuente Citas WoS Citas Scopus
1Deposition of metal thin films using a hollow cathode hydrogen discharge2ᵒ autor: Cruz J., Muhl S., Camps I., Garzon-Fontecha A.2022SURFACE & COATINGS TECHNOLOGYWoS-id: 000822950800006
Scopus-id: 2-s2.0-85128961406
00
2Si sputtering yield amplification: a study of the collisions cascade and species in the sputtering plasma1ᵉʳ autor: Cruz, J., Sangines, R., Soto-Valle, G., Muhl, S., et al.2021JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICSWoS-id: 000668708800001
Scopus-id: 2-s2.0-85110325918
11
3Study of C, Al, Si and Ge sputtering yield amplification by ion beam analysis and co-sputtering simulation software1ᵉʳ autor: Cruz, J., Muhl, S., Andrade, E., de Lucio, O. G.2019JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICSWoS-id: 000478781600002
Scopus-id: 2-s2.0-85071479906
11
4Modeling the thickness distribution of silicon oxide thin films grown by reactive magnetron sputtering1ᵉʳ autor: Cruz, J., Sangines, R., Abundiz-Cisneros, N., Aguila-Munoz, J., et al.2019JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICSWoS-id: 000487724700001
Scopus-id: 2-s2.0-85073245538
33
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# Título del documento ISSN Revista Año Fuente
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Docencia Impartida

# Entidad Nivel Asignatura Año Semestre Alumnos
1Facultad de CienciasLicenciaturaLABORATORIO DE FISICA CONTEMPOR. I20242024-29
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